对比图
型号 FQP3N60C STP4NK60Z STP2N62K3
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP4NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 4.00 A -
额定功率 - 70 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 3.40 Ω 2 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 75 W 70 W 45 W
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 620 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 4.00 A -
上升时间 30 ns 9.5 ns 4.4 ns
输入电容(Ciss) 565pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) 340pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 75 W 70 W 45 W
下降时间 35 ns 16.5 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 70W (Tc) 45W (Tc)
通道数 1 - -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 16.3 mm 9.15 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99