对比图
型号 FCPF20N60 FCPF20N60TYDTU STP20NM60FP
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220F RailSTMICROELECTRONICS STP20NM60FP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220F-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V - 650 V
额定电流 20.0 A - 20.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 150 mΩ - 0.25 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 39 W 39W (Tc) 45 W
阈值电压 5 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20A 80.0 A
上升时间 140 ns - 20 ns
输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 39 W - 45 W
下降时间 65 ns - 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 39 W 39W (Tc) 45W (Tc)
输入电容 3.08 nF - -
栅电荷 98.0 nC - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.16 mm - 10.4 mm
宽度 4.7 mm - 4.6 mm
高度 9.19 mm - 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220F-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active
包装方式 Tube Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99