对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA70N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 200 V, 35 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STW75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-3-3 TO-247-3
额定电压(DC) 200 V -
额定电流 70.0 A -
通道数 1 1
针脚数 3 3
漏源极电阻 35 mΩ 0.028 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 417 W 190 W
阈值电压 5 V 3 V
输入电容 3.05 nF -
栅电荷 66.0 nC -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 70.0 A 47.0 A, 75.0 A
上升时间 235 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 3970pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 417 W 190 W
下降时间 39 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃
耗散功率(Max) 417 W 190W (Tc)
长度 15.8 mm 15.75 mm
宽度 5 mm 5.15 mm
高度 20.1 mm 20.15 mm
封装 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -