BS170和U1898

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BS170 U1898 MMBF170

描述 小信号N沟道TO-92-3封装场效应管N沟道开关 N-Channel SwitchFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管JFET晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V 40.0 V 60.0 V

额定电流 500 mA 30.0 mA 500 mA

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 5 Ω 50 Ω 5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 625 mW 300 mW

阈值电压 2.1 V - 2.1 V

输入电容 60.0 pF - 40.0 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 40.0 V 60 V

漏源击穿电压 60 V - 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 500 mA 50.0 mA 500 mA

输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 16pF @20V(Vds) 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 830 mW 625 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350mW (Ta) 625 mW 300mW (Ta)

击穿电压 - -40.0 V -

击穿电压 - 40 V -

长度 5.2 mm - 2.92 mm

宽度 4.19 mm - 1.3 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 0.93 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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