对比图
型号 STP36NF06L STP5NK100Z IRFZ34NPBF
描述 STMICROELECTRONICS STP36NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ34NPBF 晶体管
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 1.00 kV 55.0 V
额定电流 30.0 A 3.50 A 29.0 A
通道数 1 1 1
漏源极电阻 0.032 Ω 3.7 Ω 0.04 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 125 W 68 W
产品系列 - - IRFZ34N
输入电容 - - 700pF @25V
漏源极电压(Vds) 60 V 1 kV 55 V
漏源击穿电压 60.0 V 1.00 kV 55 V
栅源击穿电压 ±18.0 V ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 3.50 A 29.0 A
上升时间 80 ns 7.7 ns 49.0 ns
输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 125 W 68 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 70 W 125 W -
针脚数 3 3 -
阈值电压 2.5 V 3.75 V -
下降时间 13 ns 19 ns -
耗散功率(Max) 70W (Tc) 125W (Tc) -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.54 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 15.24 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -