对比图
型号 IRFR3710ZTRPBF STD70N10F4 STD25NF10T4
描述 MOS(场效应管)/IRFR3710ZTRPBFN沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠DeepGATE⢠Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKSTMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 - 1
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 125 W 100 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 56.0 A - 12.5 A
输入电容(Ciss) 2930pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 125 W 100 W
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 25.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.015 Ω 0.033 Ω
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
上升时间 - 20 ns 60 ns
下降时间 - 20 ns 15 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 125W (Tc) 100W (Tc)
正向电压(Max) - 1.5 V -
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99