AO3415和FDN306P

对比图

型号 AO3415 FDN306P FDN304PZ

描述 P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN306P  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 1.5 W 500 mW 500 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 12 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 4A 2.60 A -2.40 A

输入电容(Ciss) 1450pF @10V(Vds) 1138pF @6V(Vds) 1310pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W 460 mW 460 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.5W (Ta) 0.5 W 500mW (Ta)

额定电压(DC) - -12.0 V -20.0 V

额定电流 - -2.60 A -2.40 A

额定功率 - 500 mW -

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.03 Ω 0.036 Ω

输入电容 - 454 pF 1.31 nF

栅电荷 - 12.0 nC 12.0 nC

栅源击穿电压 - ±8.00 V ±8.00 V

上升时间 - 10 ns 15 ns

下降时间 - 35 ns 25 ns

漏源击穿电压 - - 20 V

高度 1 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.92 mm 2.92 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

香港进出口证 NLR NLR -

ECCN代码 - EAR99 EAR99