对比图
型号 AOD11S60 IPB65R380C6 NDD60N360U1-35G
描述 DPAK N-CH 600V 11A650V,10.6A,N沟道高电压功率MOSFET600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-251-3
引脚数 3 - 3
通道数 - 1 -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 208 W 83 W 114W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 700 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11A 10.6A 11A
上升时间 20 ns 12 ns -
下降时间 20 ns 11 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
无卤素状态 - - Halogen Free
输入电容(Ciss) 545pF @100V(Vds) - 790pF @50V(Vds)
耗散功率(Max) 208W (Tc) - 114W (Tc)
额定功率(Max) 208 W - -
长度 - 10 mm -
宽度 - 9.25 mm -
高度 - 4.4 mm -
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free