对比图
型号 STU27N3LH5 STU7NM60N STD6NM60N-1
描述 IPAK N-CH 30V 27ASTMICROELECTRONICS STU7NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 VN沟道600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.84 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 30W (Tc) 45 W 45W (Tc)
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V -
上升时间 - 10 ns -
输入电容(Ciss) 475pF @25V(Vds) 363pF @50V(Vds) 420pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 45 W -
下降时间 - 12 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
耗散功率(Max) 30W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 27A - -
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 2.4 mm -
高度 - 6.9 mm -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -