STMICROELECTRONICS STU7NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
立创商城:
STU7NM60N
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STU7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK TO-251封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
富昌:
N-Channel 600 V 900 mΩ 14 nC Through Hole MDmesh™ Power Mosfet - TO-251
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
力源芯城:
600V,5A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.84 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 363pF @50VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.9 mm
封装 TO-251-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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