STU7NM60N

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STU7NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STU7NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK


立创商城:
STU7NM60N


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STU7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


富昌:
N-Channel 600 V 900 mΩ 14 nC Through Hole MDmesh™ Power Mosfet - TO-251


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


力源芯城:
600V,5A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK


STU7NM60N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.84 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 363pF @50VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.9 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STU7NM60N
型号: STU7NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STU7NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V
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