VNB35NV04和VNB35NV04-E

对比图

型号 VNB35NV04 VNB35NV04-E VNB35NV0413TR

描述 “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET电源负载分配开关, 低压侧, 40 V输入, 30 A, 0.013 ohm, 1输出, TO-263-3MOSFET POWER 40V 30A D2PAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 模拟开关芯片FET驱动器开关电源

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 30.0 A - -

输出接口数 1 1 1

输出电流 30 A 60 A -

供电电流 0.1 mA 0.1 mA -

漏源极电阻 10.0 mΩ - 10.0 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 125 W 125 W 125 W

漏源击穿电压 70.0 V - 70.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A - 35.0 A

输出电流(Max) 30 A 30 A 30 A

输出电流(Min) 30 A 30 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 125000 mW 125000 mW -

针脚数 - 3 -

输入数 - 1 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99