2N5302G和JANTX2N3585

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5302G JANTX2N3585 2N3772

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N5302G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 2 hFENPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS  2N3772  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 200 kHz, 150 W, 20 A, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 2

封装 TO-204-2 TO-213 TO-3

频率 2 MHz - 0.2 MHz

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 30.0 A - 20.0 A

针脚数 2 - 2

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 W 2500 mW 150 W

增益频宽积 2 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 300 V 60 V

集电极最大允许电流 30A 2A -

最小电流放大倍数(hFE) 15 @15A, 2V 25 @1A, 10V 15 @10A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 60 - 60

额定功率(Max) 200 W 2.5 W 150 W

直流电流增益(hFE) 2 - 60

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 2500 mW 150000 mW

长度 39.37 mm - -

宽度 26.67 mm - 26.2 mm

高度 8.51 mm - -

封装 TO-204-2 TO-213 TO-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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