FDS6299S和FDS6699S

对比图

型号 FDS6299S FDS6699S FDS7066N3

描述 30V N沟道的PowerTrench SyncFET ™ 30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6699S  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 1.4 V30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 21.0 A 21.0 A 23.0 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 3.90 mΩ 3.6 mΩ 4.40 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 mW 3W (Ta)

阈值电压 - 1.4 V -

输入电容 3.88 nF 3.61 nF 4.97 nF

栅电荷 58.0 nC 65.0 nC 43.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21.0 A 23.0 A

上升时间 12 ns 12 ns 8.00 ns

输入电容(Ciss) 3880pF @15V(Vds) 3610pF @15V(Vds) 4973pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W 1.7 W

下降时间 35 ns 38 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3W (Ta) 2.5W (Ta) 3W (Ta)

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.75 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99