对比图
型号 APT20N60SC3G FCB20N60 FCB20N60FTM
描述 MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAKFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 VSuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-268-3 TO-263 TO-263-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 20.7 A - 20.0 A
漏源极电阻 - 0.15 Ω 0.15 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 208W (Tc) 208 W 208 W
阈值电压 - 5 V 5 V
输入电容 2.44 nF - 3.08 nF
栅电荷 114 nC - 98.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.7 A 20.0 A 20.0 A
上升时间 - - 140 ns
输入电容(Ciss) 2440pF @25V(Vds) - 3080pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 208 W
下降时间 - - 65 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 208W (Tc) - 208W (Tc)
针脚数 - 3 -
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
封装 TO-268-3 TO-263 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - - EAR99