IRF7401和NDS8425

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7401 NDS8425 STS6NF20V

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 8.7A 8Pin SOICPowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS  STS6NF20V  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - - 8

漏源极电阻 22.0 mΩ (max) 0.022 Ω 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 890 mV 600 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0V (min) 20.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.70 A 7.40 A 6.00 A

上升时间 72.0 ns - 33 ns

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1098pF @15V(Vds) 460pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1 W 2.5 W

下降时间 - - 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2500 mW

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 8.70 A 7.40 A -

产品系列 IRF7401 - -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.575 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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