BD680和BD680G

对比图

型号 BD680 BD680G BD680AS

描述 PNP 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。ON SEMICONDUCTOR  BD680G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 40 W, -4 A, 750 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD680AS  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 14 W, -4 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -4.00 A

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 40 W 40 W 14 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 14 W

直流电流增益(hFE) 750 750 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 14000 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

最大电流放大倍数(hFE) - 750 @1.5A, 3V -

高度 10.8 mm 11.04 mm 11.2 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 7.8 mm 7.74 mm -

宽度 2.7 mm 2.66 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99