对比图
型号 PD85025-E PD85025C PD85025STR-E
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管 - LDMOST家庭 RF power transistor - LdmoST familyRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PowerSO-10RF M-243 PowerSO-10RF
频率 870 MHz 945 MHz 870 MHz
额定电流 7 A - 7 A
耗散功率 79 W 93000 mW 79 W
漏源击穿电压 - - 40 V
输出功率 10 W 10 W 10 W
增益 17.3 dB 17.5 dB 17.3 dB
测试电流 300 mA 300 mA 300 mA
输入电容(Ciss) 55pF @12.5V(Vds) 49pF @12.5V(Vds) 55pF @12.5V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 200 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 79000 mW 93000 mW 79000 mW
额定电压 40 V 40 V 40 V
长度 9.4 mm - 9.4 mm
宽度 7.5 mm - 7.5 mm
高度 3.5 mm - 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF M-243 PowerSO-10RF
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -