对比图
型号 FDS6912A NDS8410A PHN203,518
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6912A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V单30V N沟道PowerTrench MOSFET的 Single 30V N-Channel PowerTrench MOSFETMOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
耗散功率 1.6 W 2.5 W 2 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 5 ns - 6 ns
输入电容(Ciss) 575pF @15V(Vds) 1620pF @15V(Vds) 560pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 1 W 2 W
下降时间 5 ns - 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6 W 2.5W (Ta) 2000 mW
漏源极电阻 0.019 Ω 7.70 Ω -
极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel -
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 10.8 A -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 6 A - -
额定功率 1.6 W - -
针脚数 8 - -
阈值电压 1.9 V - -
输入电容 575 pF - -
栅电荷 5.80 nC - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.5 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -