DTA123JMT2L和DTC114EEBTL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA123JMT2L DTC114EEBTL MUN5235T1G

描述 双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA双电阻器数字 NPN 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.ON SEMICONDUCTOR  MUN5235T1G  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-323 新

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 VMT-3 SOT-490 SC-70-3

额定功率 0.15 W 0.15 W -

极性 PNP NPN N-Channel

耗散功率 - 0.2 W 0.31 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 30 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 202 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz 250 MHz -

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW 310 mW

额定电压(DC) -50.0 V - 50.0 V

额定电流 -100 mA - 100 mA

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

长度 1.2 mm 1.7 mm -

宽度 0.8 mm 0.96 mm -

高度 0.5 mm 0.8 mm -

封装 VMT-3 SOT-490 SC-70-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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