FZT649和FZT649TC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZT649 FZT649TC

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FZT649  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFETrans GP BJT NPN 25V 3A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4

频率 150 MHz -

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V

额定电流 3.00 A 3.00 A

针脚数 4 -

极性 N-Channel, NPN -

耗散功率 2 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 2V 100 @1A, 2V

额定功率(Max) 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 15 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW

增益频宽积 - 240 MHz

长度 6.7 mm 6.7 mm

宽度 3.7 mm 3.7 mm

高度 1.7 mm 1.65 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

军工级 - -

ECCN代码 EAR99 -

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