对比图
型号 IRF1010NSTRRPBF STB60NF06T4 STB60N55F3
描述 MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80NCN沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFETN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -
额定电流 85.0 A 60.0 A -
漏源极电阻 - 15.0 mΩ 8.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 110 W 110 W
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 55.0 V 60.0 V 55 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 85.0 A 60.0 A 56.0 A, 80.0 A
上升时间 76.0 ns 108 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 110 W 110 W
下降时间 - 20 ns 11.5 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)
通道数 1 - 1
阈值电压 - - 4 V
产品系列 IRF1010NS - -
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.75 mm
宽度 - - 10.4 mm
高度 - - 4.6 mm
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99