对比图
型号 RS10.15% VB10150S-E3/4W VB10150S-E3/8W
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
数据手册 ---
制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 TVS二极管TVS二极管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 - TO-263-3 TO-263-3
正向电压 - 1.2V @10A 1.2V @10A
最大正向浪涌电流（Ifsm） - - 120 A
正向电压(Max) - - 1.2V @10A
封装 - TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free