MUN5113DW1T1和MUN5113DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5113DW1T1 MUN5113DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON SEMICONDUCTOR  MUN5113DW1T1G  单晶体管 双极, 双PNP, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-88-6 SC-70-6

极性 PNP PNP

耗散功率 250 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW

额定电压(DC) - -50.0 V

额定电流 - -100 mA

无卤素状态 - Halogen Free

额定功率(Max) - 250 mW

直流电流增益(hFE) - 80

长度 2 mm -

宽度 1.25 mm -

高度 0.9 mm -

封装 SC-88-6 SC-70-6

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99

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