对比图
型号 JANTX2N5686 MJ14001G JANTXV2N5686
描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR高？当前互补硅功率晶体管 High?Current Complementary Silicon Power TransistorsNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 2 3
封装 TO-3 TO-3 TO-3
极性 NPN PNP NPN
耗散功率 300 W 300 W 300 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 60 V 80 V
集电极最大允许电流 50A 60A 50A
最小电流放大倍数(hFE) 15 @25A, 2V 15 @50A, 3V 15 @25A, 2V
额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW - 300000 mW
额定电压(DC) - -60.0 V -
额定电流 - -60.0 A -
封装 TO-3 TO-3 TO-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -