对比图
型号 R1LV0408DSB-5SI#B0 RMLV0408EGSB-4S2#AA0 BS62LV4006EIP55
描述 RENESAS R1LV0408DSB-5SI#B0 芯片, 存储器, SRAM, 4Mb, 3V, 55NS, 32TSOP低功率 SRAM，RMLV 系列，Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源 存取时间：45ns（最大值） 相等存取和循环时间 常见数据输入和输出，带三态输出 所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM（静态随机存取存储器）BSI (BRILLIANCE SEMICONDUCTOR) BS62LV4006EIP55 芯片, SRAM, 4M, 512KX8, 2.4-5.5V, SMD
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) BSI
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 32 32 32
封装 TSOP-32 TSOP-32 TSOP
时钟频率 - 1 MHz -
位数 8 8 -
存取时间 55 ns 45 ns 55 ns
存取时间(Max) 55 ns 45 ns -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.4V ~ 5.5V
针脚数 32 - 32
内存容量 500000 B - 500000 B
电源电压(Max) 3.6 V - 5.5 V
电源电压(Min) 2.7 V - 2.4 V
供电电流 10 mA - -
长度 21.05 mm 11.9 mm -
宽度 10.26 mm 8.1 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 TSOP-32 TSOP-32 TSOP
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tray Tray Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free Lead Free -
REACH SVHC版本 2017/01/12 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -