对比图
型号 2N7002LT3G BS170 2N7002LT1G
描述 N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor小信号N沟道TO-92-3封装场效应管ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 115 A 500 mA 115 mA
额定功率 - - 0.225 W
无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 7.5 Ω 5 Ω 7.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 mW 350 mW 200 mW
阈值电压 2.5 V 2.1 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 115 mA 500 mA 115 mA
正向电压(Max) - - 1.5 V
输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 60pF @10V(Vds) 50pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 225 mW 830 mW 225 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225mW (Ta) 350mW (Ta) 225mW (Ta)
输入电容 50.0 pF 60.0 pF -
长度 3.04 mm 5.2 mm 2.9 mm
宽度 1.4 mm 4.19 mm 1.3 mm
高度 1.01 mm 5.33 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99