对比图
型号 STE26NA90 STW21N90K5 IXFN26N90
描述 N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP快速功率MOSFET N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFETN沟道900 V， 0.25 I© （典型值） ， 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH⢠5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesIXYS SEMICONDUCTOR IXFN26N90 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Through Hole Screw
引脚数 - 3 3
封装 ISOTOP TO-247-3 SOT-227-4
额定电压(DC) 900 V - 900 V
额定电流 26.0 A - 26.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.25 Ω 300 mΩ
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 450W (Tc) 250 W 600 W
阈值电压 - 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 18.5A 26.0 A
上升时间 52.0 ns 27 ns 35 ns
隔离电压 - - 2.50 kV
输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 1645pF @100V(Vds) 10800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 250 W 600 W
下降时间 - 40 ns 24 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 450W (Tc) 250W (Tc) 600W (Tc)
封装 ISOTOP TO-247-3 SOT-227-4
重量 - - 44.0 g
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -