对比图
型号 FQP55N06 STP120NF10 SPA04N80C3
描述 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VINFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 60.0 V 100 V 800 V
额定电流 55.0 A 120 A 4.00 A
漏源极电阻 20.0 mΩ 0.009 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 133W (Tc) 312 W 38 W
漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 800 V
漏源击穿电压 60.0 V 100 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 55.0 A 110 A 4.00 A
输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 133 W 312 W 38 W
耗散功率(Max) 133W (Tc) 312000 mW 38W (Tc)
额定功率 - - 38 W
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 3 V
上升时间 - 90 ns 15 ns
下降时间 - 68 ns 12 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.65 mm
宽度 - 4.6 mm 4.85 mm
高度 - 9.15 mm 16.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99