PDTB113ET和PDTB113ZK

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTB113ET PDTB113ZK PDTB113ET,215

描述 PNP 晶体管,NXP### 数字晶体管,NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。50V resistor-equipped transistorsTO-236AB PNP 50V 500mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Philips (飞利浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-236 - SOT-23-3

极性 PNP, P-Channel - PNP

耗散功率 250 mW - 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V - 50 V

集电极最大允许电流 500mA - 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 33 - 33 @50mA, 5V

额定功率(Max) - - 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 250 mW

高度 1 mm - 1 mm

封装 TO-236 - SOT-23-3

长度 3 mm - -

宽度 1.4 mm - -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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