对比图
描述 PD57018-E系列 65 V 18 W N沟道 增强模式 横向MOSFET - PowerSORF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管晶体管晶体管
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10 PowerSO-10
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 3
频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 31.7 W 31.7 W 31700 mW
漏源击穿电压 65.0 V 65.0 V 65.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A 2.50 A
输出功率 18 W 18 W 18 W
增益 16.5 dB 16.5 dB 16.5 dB
测试电流 100 mA 100 mA 100 mA
额定电压 65 V 65 V 65 V
额定电压(DC) 65.0 V - -
额定电流 2.5 A - -
针脚数 3 - -
输入电容 34.5 pF - -
漏源极电压(Vds) 65 V - -
输入电容(Ciss) 34.5pF @28V(Vds) - 34.5pF @28V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ - 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 31700 mW - 31700 mW
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10 PowerSO-10
长度 9.5 mm - -
宽度 9.4 mm - -
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -