PD57018-E和PD57018S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD57018-E PD57018S PD57018

描述 PD57018-E系列 65 V 18 W N沟道 增强模式 横向MOSFET - PowerSORF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管晶体管

基础参数对比

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10 PowerSO-10

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 31.7 W 31.7 W 31700 mW

漏源击穿电压 65.0 V 65.0 V 65.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A 2.50 A

输出功率 18 W 18 W 18 W

增益 16.5 dB 16.5 dB 16.5 dB

测试电流 100 mA 100 mA 100 mA

额定电压 65 V 65 V 65 V

额定电压(DC) 65.0 V - -

额定电流 2.5 A - -

针脚数 3 - -

输入电容 34.5 pF - -

漏源极电压(Vds) 65 V - -

输入电容(Ciss) 34.5pF @28V(Vds) - 34.5pF @28V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ - 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 31700 mW - 31700 mW

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10 PowerSO-10

长度 9.5 mm - -

宽度 9.4 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -

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