对比图
型号 BSS806NH6327XTSA1 SI2302DDS-T1-GE3 RQK0204TGDQA#H6
描述 INFINEON BSS806NH6327XTSA1 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-23VISHAY SI2302DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 VRENESAS RQK0204TGDQA#H6 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 20 V, 0.1 ohm, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.041 Ω 0.045 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 mW 710 mW -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -
上升时间 9.9 ns 7 ns -
下降时间 3.7 ns 7 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 500 mW 710 mW -
额定功率 0.5 W - -
阈值电压 550 mV - -
连续漏极电流(Ids) 2.3A - -
输入电容(Ciss) 370pF @10V(Vds) - -
高度 1 mm 1.02 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
长度 2.9 mm - -
宽度 1.3 mm - -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
产品生命周期 Active - Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2020/01/16
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -