TIP102G和TIP102TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP102G TIP102TU TIP102

描述 ON SEMICONDUCTOR  TIP102G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 8 A, 20 hFENPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。STMICROELECTRONICS  TIP102  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 8.00 A 8.00 A 8.00 A

额定功率 - 2 W 2 W

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 80 W 80 W 80 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 1000 @3A, 4V 1000 @3A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 200 1000 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 80 W 2000 mW

输出电压 100 V - -

输出电流 8 A - -

输入电流 1 A - -

热阻 62.5℃/W (RθJA) - -

集电极最大允许电流 8A - -

最大电流放大倍数(hFE) 20000 - -

输入电压 2.8 V - -

长度 10.28 mm 10.67 mm 10.4 mm

宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm

高度 9.28 mm 9.4 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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