对比图
型号 2SK3271-01 IPI100N06S3L-04 IPP100N06S3L-04
描述 TO-3P N-CH 60V 100A的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-262 TO-220-3-1
额定电压(DC) - 55.0 V 55.0 V
额定电流 - 100 A 100 A
极性 N-CH N-CH N-CH
输入电容 9000pF @25V 26.2 nF 26.2 nF
栅电荷 - 550 nC 550 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 55.0 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 100A 100 A 100 A
上升时间 200 ns 58 ns 58 ns
输入电容(Ciss) - 17270pF @25V(Vds) 17270pF @25V(Vds)
下降时间 135 ns 55 ns 55 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 214000 mW 214W (Tc)
正向电压 1.00 V - -
漏源极电阻 6.5 mΩ - -
耗散功率 155 W - 214 W
漏源击穿电压 60 V - -
封装 TO-220 TO-262 TO-220-3-1
长度 15.5 mm - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)