DS1220AD-200和M48Z12-200PC1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AD-200 M48Z12-200PC1 DS1220AB-200+

描述 IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP5V , 16Kbit的( 2K位×8 ) ZEROPOWER SRAM 5V, 16Kbit (2Kb x 8) ZEROPOWER SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AB-200+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 DIP-24 DIP-24 EDIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 200 GHz 200 GHz 200 GHz

存取时间 200 ns 200 ns 200 ns

内存容量 2000 B 2000 B 2000 B

存取时间(Max) - 200 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

针脚数 - - 24

电源电压(Max) - - 5.25 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

长度 - 34.8 mm 34.04 mm

宽度 - 18.34 mm 18.29 mm

高度 - 8.89 mm 9.4 mm

封装 DIP-24 DIP-24 EDIP-24

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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