P2N2222ARL1G和PN2222A-AP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P2N2222ARL1G PN2222A-AP P2N2222AG

描述 放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)PN2222A 系列 40 V 600 mA 625 mW NPN 通用放大器 - TO-92-3ON SEMICONDUCTOR  P2N2222AG.  放大器晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA 600 mA 600 mA

耗散功率 - 600 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

频率 - - 300 MHz

针脚数 - - 3

极性 NPN - NPN

集电极最大允许电流 0.6A - 0.6A

直流电流增益(hFE) - - 300

长度 - 4.7 mm 5.2 mm

宽度 - 3.68 mm 4.19 mm

高度 - 4.7 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Box (TB) Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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