FJV1845EMTF和FJV1845UMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJV1845EMTF FJV1845UMTF FJV1845FMTF

描述 小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3Pin SOT-23 T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJV1845FMTF  单晶体管 双极, NPN, 120 V, 110 MHz, 300 mW, 50 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz - 100 MHz

额定电压(DC) 120 V - 120 V

额定电流 50.0 mA - 50.0 mA

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.3 W - 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V 120 V

集电极最大允许电流 0.05A 0.05A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 400 @1mA, 6V 600 @1mA, 6V 300 @1mA, 6V

最大电流放大倍数(hFE) 1200 - 1200

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 300

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 1.04 mm - 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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