IPB034N06L3GATMA1和IPD048N06L3 G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB034N06L3GATMA1 IPD048N06L3 G IPB037N06N3G

描述 INFINEON  IPB034N06L3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 VINFINEON  IPD048N06L3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V60V,90A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

额定功率 167 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0027 Ω 0.0037 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 167 W 115 W -

阈值电压 1.7 V 1.7 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 90A - -

上升时间 78 ns 5 ns 70 ns

输入电容(Ciss) 10000pF @30V(Vds) 6300pF @30V(Vds) 8000pF @30V(Vds)

下降时间 13 ns 12 ns 5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 167 W 115 W 188000 mW

通道数 - 1 -

额定功率(Max) - 115 W -

长度 10.31 mm 6.5 mm -

宽度 9.45 mm 6.22 mm -

高度 4.57 mm 2.3 mm -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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