对比图
型号 STB28NM50N STP28NM50N SPB21N50C3ATMA1
描述 STMICROELECTRONICS STB28NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP28NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VINFINEON SPB21N50C3ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 560 V
额定电流 - - 21.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.135 Ω 0.135 Ω 0.16 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 150 W 208 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
输入电容 - - 2.40 nF
栅电荷 - - 95.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 21A 21A 21.0 A
上升时间 19 ns 19 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1735pF @25V(Vds) 1735pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
下降时间 52 ns 52 ns 4.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 208000 mW
额定功率(Max) 90 W 90 W -
长度 - 10.4 mm 10 mm
宽度 - 4.6 mm 9.25 mm
高度 - 15.75 mm 4.4 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -