IRFB4212PBF和STP24NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB4212PBF STP24NF10 IRFZ14PBF

描述 N沟道,100V,18A,72.5mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STP24NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 60.0 V

额定电流 18.0 A 26.0 A 10.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 72.5 mΩ 0.055 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 85 W 43 W

阈值电压 5 V 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 26.0 A 10.0 A

上升时间 28.0 ns 45 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 550pF @50V(Vds) 870pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 60 W 85 W 43 W

下降时间 - 20 ns 19 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 60 W 85W (Tc) 43 W

额定功率 - 85 W -

通道数 - 1 -

输入电容 550pF @50V 870 pF -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

产品系列 IRFB4212 - -

长度 10.66 mm 10.4 mm 10.41 mm

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

高度 16.51 mm 9.15 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 -

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