对比图
型号 STW30NM60N STW45NM60 FCA47N60_F109
描述 N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAKN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 45.0 A -
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 110 mΩ 70 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 190W (Tc) 417 W 417 W
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V 600 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 25A 45.0 A 47A
上升时间 24 ns 20 ns 210 ns
输入电容(Ciss) 2700pF @50V(Vds) 3800pF @25V(Vds) 8000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 417 W 417 W
下降时间 70 ns 23 ns 75 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 417W (Tc) 417W (Tc)
长度 - 15.75 mm 16.2 mm
宽度 - 5.15 mm 5 mm
高度 - 20.15 mm 20.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99