MJD45H11G和MJD45H11RL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD45H11G MJD45H11RL MJD45H11TF

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE硅功率晶体管 SILICON POWER TRANSISTORSPower PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 DPAK-3 TO-252-3

频率 90 MHz - 40 MHz

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -8.00 A -8.00 A -8.00 A

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 20 W - 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V - 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 1.75 W - 1.75 W

直流电流增益(hFE) 60 - 60

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW - 20 W

无卤素状态 Halogen Free - -

热阻 6.25℃/W (RθJC) - -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

长度 6.73 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.1 mm

高度 2.38 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 DPAK-3 TO-252-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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