对比图
型号 FDB7030BL STB95N3LLH6 IRF3707ZSPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB7030BL 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷N 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。INFINEON IRF3707ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 60.0 A - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.009 Ω 0.0037 Ω 0.0095 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 65 W 70 W 57 W
阈值电压 1.9 V 1 V 1.8 V
输入电容 1.76 nF - -
栅电荷 17.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 80A 59A
上升时间 12 ns 91 ns 41 ns
输入电容(Ciss) 1760pF @15V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 1210pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 60 W - -
下降时间 19 ns 23.4 ns 3.6 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 70W (Tc) 57W (Tc)
额定功率 - - 57 W
长度 10.67 mm 10.75 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 10.4 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -