L6386D013TR和L6386ED

对比图

型号 L6386D013TR L6386ED L6386D

描述 MOSFET DRVR 600V 0.65A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 14Pin SOIC T/RSTMICROELECTRONICS  L6386ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

电源电压(DC) 17.0V (max) 9.10V (min) 17.0V (max)

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 750 mW 0.75 W 750 mW

上升时间 - 50 ns 50 ns

下降时间 - 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -45 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

频率 - 400 kHz -

额定功率 - 750 mW -

输出电压 - 580 V -

输出电流 - 400 mA -

通道数 - 2 -

针脚数 - 14 -

输出电流(Max) - 0.65 A -

电源电压 17 V 17 VDC -

电源电压(Max) - 17 V -

电源电压(Min) - 9.1 V -

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

长度 - 8.75 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 1.65 mm 1.65 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -