对比图
型号 SPA08N80C3 SPA20N60C3 STP4NK50ZFP
描述 INFINEON SPA08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 VINFINEON SPA20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP4NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V 650 V -
额定电流 8.00 A 20.7 A -
额定功率 40 W - -
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 650 mΩ 0.16 Ω 2.3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 40 W 34.5 W 20 W
阈值电压 3 V 3 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 800 V 650 V 500 V
漏源击穿电压 800 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 20.7 A 1.50 A
上升时间 15 ns 5 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) - 310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 40 W - -
下降时间 7 ns 4.5 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 34.5W (Tc) 20W (Tc)
输入电容 - 2.40 nF -
栅电荷 - 114 nC -
长度 10.65 mm 10.65 mm 10.4 mm
宽度 4.85 mm 4.85 mm 4.6 mm
高度 16.15 mm 16.15 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - NLR -