2N930和JAN2N930

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N930 JAN2N930 BC640TA

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTO-18 NPN 45V 0.03AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC640TA  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1 W, -1 A, 25 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-206 TO-18-3 TO-92-3

频率 - - 50 MHz

额定电压(DC) - - -80.0 V

额定电流 - - -1.00 A

额定功率 - - 800 mW

针脚数 - - 3

极性 - NPN PNP

耗散功率 0.3 W 300 mW 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 80 V

集电极最大允许电流 - 0.03A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10µA, 5V 100 @10µA, 5V 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - - 160

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 1 W

直流电流增益(hFE) - - 25

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 1 W

长度 - - 4.58 mm

宽度 - - 3.93 mm

高度 - - 5.33 mm

封装 TO-206 TO-18-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Box

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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