对比图
型号 STD30NF06T4 STP55NF06 IRFR1205PBF
描述 STMICROELECTRONICS STD30NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronics55V,0.027Ω,44A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 55.0 V
额定电流 28.0 A 50.0 A 37.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.02 Ω 0.015 Ω 20 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 30 W 107 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 55.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 28.0 A 50.0 A 44.0 A
上升时间 100 ns 50 ns 69.0 ns
输入电容(Ciss) 1750pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 110 W 107 W
下降时间 20 ns 15 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 110W (Tc) -
产品系列 - - IRFR1205
额定功率 - 110 W -
长度 6.6 mm 10.4 mm -
宽度 6.2 mm 4.6 mm -
高度 2.4 mm 9.15 mm -
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/12/17