对比图
型号 CSD19533Q5A CSD19537Q3 CSD19533Q5AT
描述 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5ACSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.5mΩ 8-VSONP -55 to 150
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-FET-8 VSON-Clip-8 VSONP-8
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.0078 Ω - -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 3.2 W 2.8 W 3.2 W
阈值电压 2.8 V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 100A 50A 100A
上升时间 6 ns 3 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 2670pF @50V(Vds) 1680pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
下降时间 5 ns 3 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 96W (Tc) 2.8W (Ta), 83W (Tc) 3200 mW
封装 VSON-FET-8 VSON-Clip-8 VSONP-8
长度 - 3.3 mm -
宽度 - 3.3 mm -
高度 - 1 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 - - EAR99