对比图
型号 NTB75N03L09T4G NTB75N03RT4 STB95N3LLH6
描述 35V,75A,N沟道MOSFET功率MOSFET 75安培， 25伏特N沟道D2PAK ， TO- 220 Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220N 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 8 mΩ 13 mΩ 0.0037 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 74.4 W 70 W
阈值电压 - - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75.0 A 80A
上升时间 130 ns 1.3 ns 91 ns
输入电容(Ciss) 5635pF @25V(Vds) 1333pF @20V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
下降时间 105 ns 5.5 ns 23.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 125W (Tc) 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V 25.0 V -
额定电流 75.0 A 75.0 A -
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 30 V 25 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
额定功率(Max) 2.5 W 1.25 W -
长度 10.29 mm 10.29 mm 10.75 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 10.4 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99