IPB034N03LG和IPB05N03LB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB034N03LG IPB05N03LB IPB034N03LGATMA1

描述 OptiMOSâ ?? ¢ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorINFINEON  IPB034N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-7 TO-263-3-2 TO-263

额定功率 - - 94 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0028 Ω

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 94W (Tc) 94 W

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 80A

上升时间 6.4 ns - 6.4 ns

输入电容(Ciss) - 3209pF @15V(Vds) 4000pF @15V(Vds)

下降时间 5.4 ns - 5.4 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 94W (Tc) 94 W

通道数 1 - -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 80.0 A -

输入电容 - 3.21 nF -

栅电荷 - 25.0 nC -

长度 - - 10.31 mm

宽度 9.45 mm - 9.45 mm

高度 - - 4.57 mm

封装 TO-263-7 TO-263-3-2 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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