MMBFJ201和SST201-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBFJ201 SST201-T1-E3 PMBFJ113,215

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ201  晶体管, JFET, JFET, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, JFETVISHAY  SST201-T1-E3  晶体管, JFET, JFET, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, TO-236, JFETN 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23-3

击穿电压 -40.0 V -40.0 V -40.0 V

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 350 mW 350 mW 300 mW

漏源击穿电压 - -300 mV -

栅源击穿电压 40.0 V -1.50 V -

连续漏极电流(Ids) 600 mA 1.00 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 50.0 mA - -

额定功率 350 mW - -

漏源极电压(Vds) 40.0 V - 40 V

击穿电压 40 V - 40 V

额定功率(Max) 350 mW - 300 mW

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 350 mW - -

漏源极电阻 - - 100 Ω

输入电容(Ciss) - - 6pF @10V(Vgs)

高度 0.93 mm 1.02 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23-3

长度 2.92 mm - 3 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - 150℃ (TJ)

ECCN代码 ECL99 - -

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